Ефектът от натрупването на електростатично напрежение върху компонентите
Съвет на ядрото: Прекъсването на напрежението се отнася до счупване на полупроводниково PN съединение или диелектричен слой при свръхнапрежение. В съвременните схеми на VLSI, дебелината на слоя оксид на вратата е толкова тънка като нанометрите, а електростатичните напрежения толкова малки, колкото сто волта или десетки волта са достатъчни, за да причинят повреда на компонента или влошаване на производителността. Основният източник на пренапрежение е трибоелектричен. Когато човек влезе в стаята или
Прекъсването на напрежението се отнася до счупване на полупроводниково PN съединение или диелектричен слой при свръхнапрежение. В съвременните схеми на VLSI, дебелината на слоя оксид на вратата е толкова тънка като нанометрите, а електростатичните напрежения толкова малки, колкото сто волта или десетки волта са достатъчни, за да причинят повреда на компонента или влошаване на производителността.
Основният източник на пренапрежение е трибоелектричен. Когато човек влезе в стая или просто премахне интегрална схема от материал от пластмасов плик, той може да генерира напрежение от 15000 - 20000V, далеч надвишаващо електростатичното напрежение. Като пример за MOS полев транзистор, метална алуминиева врата, изолационен диелектричен слой SIO2 и полупроводников N-канал, такава структура е еквивалентна на плосък кондензатор с капацитет около 3 PF.
Когато се натрупва статичен заряд в алуминиевата мрежа, от V = Q / C е известно, че дори и малко количество заряд води до повишаване на напрежението много високо. Издържаното напрежение на изолационния диелектричен слой SIO2 е само около 100V. Когато електростатичното напрежение достигне или надвиши стойността на издържаното напрежение, оксидният филм ще се разруши, причинявайки отвори да съобщават вратите, повреждайки устройството, причинявайки скрити опасности или правят устройството невалидно.
Прекъсването на мощността се отнася до счупване на полупроводниково PN съединение, изолационен диелектричен слой, свързващ проводник и т.н. под свръхток, който е свързан с формата, продължителността и енергийното натрупване на електростатичния разряд. През вътрешността на интегралната схема протича ток на електростатичен разряд, което води до повишаване на температурата на PN връзката.
Някои от тях могат да изгорят вътрешните свързващи проводници или да доведат до стесняване на вътрешните свързващи проводници, а други могат да предизвикат сплавяване или метална дифузия, което в крайна сметка може да причини трайно увреждане или силно стареене на устройството. Електрическото стареене е "мекото разбиване" на най-много главоболия. Той не може да бъде намерен в момента, но може да се провали по всяко време. По това време електронното оборудване, което го използва, несъмнено ще доведе до големи скрити опасности.